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还在寻找能让您的移动设备“快人一步”的内存方案吗？EDB5432BEBH-1DAUT-F-D就是您的理想答案。这颗基于美光移动LPDDR2技术的512Mb DRAM芯片，以高达533MHz的运行频率，为您提供高速、并行的数据通道，确保应用切换如丝般顺滑，图形加载瞬间完成，彻底告别卡顿等待。

它不仅仅追求速度，更注重能效与可靠性。宽广的工作电压与温度范围（-40°C ~ 125°C）让您的产品设计拥有前所未有的适应性，无论是严寒还是酷暑环境，都能稳定运行。紧凑的134-VFBGA封装帮助您最大化利用板卡空间，实现更精巧的产品设计。选择它，就是为您的智能终端注入一颗强劲且高效的“内存引擎”，让用户体验直接升级。

• 型号:EDB5432BEBH-1DAUT-F-D
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:134-VFBGA（10x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:16M x 32
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:134-VFBGA
• 供应商器件封装:134-VFBGA（10x11.5）
• EDB5432BEBH-1DAUT-F-D，Micron（美光）产品一站式供应商。