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您是否正在寻找一颗能够为高端应用提供坚实内存基础的核心器件？MT40A1G8WE-083E IT:B TR就是您理想的答案。这颗来自美光科技的8Gb DDR4 SDRAM芯片，以其1.2GHz的高速时钟和并联接口，能轻松应对数据密集型任务，让您的系统运行如飞，处理海量信息时更加从容高效。

它采用1.2V左右低电压供电和先进的78-TFBGA封装，不仅功耗控制出色，更能适应-40°C至95°C的宽温工作环境，确保在各种严苛条件下稳定可靠。无论是嵌入到工业控制设备，还是集成进通信基础设施，它都能成为您产品中值得信赖的“记忆中枢”，让性能表现始终稳如磐石。

• 型号:MT40A1G8WE-083E IT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（8x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR4
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:1G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:1.2 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（8x12）
• MT40A1G8WE-083E IT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。