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还在为您的移动设备寻找一颗既能“跑得快”又能“吃得少”的内存核心吗？EDB2432B4MA-1DAAT-F-R TR正是您期待的答案。这颗美光出品的2Gb移动LPDDR2 DRAM，能以高达533MHz的速度高效处理数据，同时凭借1.14V~1.95V的宽电压供电和低功耗设计，显著优化系统能效，让您的设备续航更持久。

它采用紧凑的134-VFBGA封装，易于集成，能帮助您最大化利用PCB空间，实现更轻薄的产品设计。其宽广的-40°C至105°C工作温度范围，更能确保设备在各类严苛环境下稳定运行。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲、可靠且高效的心脏，轻松应对多任务与高性能应用的挑战。

• 型号:EDB2432B4MA-1DAAT-F-R TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:134-VFBGA（10x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PAR 134VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:64M x 32
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:134-VFBGA
• 供应商器件封装:134-VFBGA（10x11.5）
• EDB2432B4MA-1DAAT-F-R TR，Micron（美光）产品一站式供应商。