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还在为系统内存性能不足而烦恼吗？MT40A1G8WE-083E:B TR就是您期待的答案。这颗美光DDR4 SDRAM芯片，拥有8Gb（1G x 8）的大容量和高达1.2GHz的时钟频率，能为您的高速计算平台、网络设备或图形工作站提供澎湃的数据带宽，让海量信息处理变得轻松流畅，瞬间提升系统响应速度。

它采用先进的78-TFBGA表面贴装封装，支持1.2V标准电压，在0°C至95°C的宽温度范围内稳定工作，确保您的设备在各种严苛环境下都能高效可靠地运行。选择它，就是为您的核心应用装备上一个强劲、可靠的数据引擎。

• 型号:MT40A1G8WE-083E:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（8x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR4
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:1G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:1.2 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（8x12）
• MT40A1G8WE-083E:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。