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还在为系统卡顿、数据吞吐不足而烦恼吗？MT40A1G8WE-083E AUT:B这颗8Gb DDR4 SDRAM芯片，就是为您提升产品性能而生的利器。它能以高达1.2GHz的速度高效处理数据，让您的设备运行如飞，轻松应对多任务处理和实时计算需求。

得益于其1G x 8的配置和并联接口，它能为您提供稳定的大容量数据暂存空间，是工业控制、汽车电子、网络通信等高端应用的理想选择。宽达-40°C至125°C的工作温度范围，让您无需担心极端环境的挑战，确保产品在各种条件下都稳定可靠。选择它，就是选择了一份让设计更高效、让产品更出众的保障。

• 型号:MT40A1G8WE-083E AUT:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（8x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR4
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:1G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:1.2 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（8x12）
• MT40A1G8WE-083E AUT:B，Micron（美光）产品一站式供应商。