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您是否在寻找一颗能瞬间提升系统数据吞吐能力的内存核心？MT40A1G8WE-083E AAT:B TR正是您期待的答案。这颗美光DDR4 SDRAM芯片，拥有高达8Gb的容量和1.2GHz的运行频率，能轻松应对海量数据的并行处理需求，让您的高性能计算、网络通信或图形处理应用运行得更加流畅高效。

它采用先进的78-TFBGA封装，节省板卡空间，便于集成设计。其宽广的-40°C至105°C工作温度范围和稳定的低压供电（1.14V~1.26V），确保了在各种严苛环境下都能提供持久可靠的性能表现。选择它，就是为您的产品选择了一个强劲、稳定且高效的数据处理伙伴。

• 型号:MT40A1G8WE-083E AAT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（8x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR4
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:1G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:1.2 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（8x12）
• MT40A1G8WE-083E AAT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。