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MT53E384M32D2DS-053 AUT:E 零件图片(仅供参考)

MT53E384M32D2DS-053 AUT:E
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MT53E384M32D2DS-053 AUT:E 规格参数

还在为设备的多任务处理卡顿、高负载应用响应迟缓而烦恼吗?MT53E384M32D2DS-053 AUT:E正是您期待的解决方案。这颗美光科技的12Gb LPDDR4移动DRAM,以其高达1.866GHz的疾速频率和384M x 32的宽位架构,为您带来惊人的数据吞吐能力,让您的应用程序运行如飞,轻松应对AI计算、高清视频流和复杂图形渲染的严苛需求。

它采用先进的低功耗设计,双电压(0.6V/1.1V)供电在提供强劲性能的同时,显著优化系统能效,有效延长移动设备的电池续航。其宽广的工作温度范围(-40°C ~ 125°C)确保了在各种极端环境下的稳定运行,无论是户外智能设备还是车载系统,都能可靠工作。选择它,就是为您的产品选择了高效、可靠且面向未来的内存核心。

  • 型号:MT53E384M32D2DS-053 AUT:E
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:200-WFBGA(10x14.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 12GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:12Gb
  • 存储器组织:384M x 32
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1.866 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.1V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TC)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:200-WFBGA
  • 供应商器件封装:200-WFBGA(10x14.5)
  • MT53E384M32D2DS-053 AUT:E,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT53E384M32D2DS-053 AUT:E 基本参数:

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