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还在寻找能瞬间提升您设备性能的内存解决方案吗？MT40A2G4WE-083E:B TR正是您期待的答案。这颗美光科技的8Gb DDR4 SDRAM芯片，以高达1.2GHz的时钟频率，为您的高速计算、实时数据处理和复杂应用提供闪电般的响应速度，让系统运行如行云流水般顺畅。

它采用先进的并联接口与紧凑的78-TFBGA封装，不仅传输效率极高，还能帮助您优化电路板空间布局。其1.14V至1.26V的低工作电压，显著降低了系统功耗，让您的产品在追求高性能的同时也能兼顾能效与环保。无论是构建稳定的服务器、迅捷的网络设备还是可靠的工业控制系统，这颗芯片都能让您轻松应对严苛挑战，实现高效、稳定的卓越表现。

• 型号:MT40A2G4WE-083E:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（8x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR4
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:2G x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:1.2 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（8x12）
• MT40A2G4WE-083E:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。