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您正在寻找一颗能快速响应、稳定存储核心程序代码的“大脑”级闪存吗？M28W640HCT70ZB6E正是为此而生。这颗64Mb并行NOR闪存，拥有高达70ns的极速访问与写入周期，让您的嵌入式系统能够瞬间读取并执行指令，大幅提升整体响应效率与运行流畅度。

它采用可靠的并联接口和4M x 16位宽，为您提供直接、高效的数据通道。宽电压供电（2.7V-3.6V）与广阔的工业级温度范围（-40°C至85°C），让它能轻松适应苛刻的工业控制、通信设备等环境，确保您的产品在各种挑战下稳定运行。选择它，就是为您的核心设计注入了高效与可靠的强心剂。

• 型号:M28W640HCT70ZB6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TFBGA（6.39x10.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:64Mbit
• 存储器组织:4M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFBGA
• 供应商器件封装:48-TFBGA（6.39x10.5）
• M28W640HCT70ZB6E，Micron（美光）产品一站式供应商。