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MT40A1G8WE-075E:D 零件图片(仅供参考)

MT40A1G8WE-075E:D
Micron 订单到达,马上发货

MT40A1G8WE-075E:D 规格参数

还在为系统数据处理速度跟不上而烦恼吗?MT40A1G8WE-075E:D就是您期待的答案。这颗美光出品的8Gb DDR4 SDRAM芯片,能以高达1.33GHz的时钟频率飞速运行,让您的设备轻松应对海量数据的实时读写需求,彻底告别卡顿与延迟。

它采用高效的并联接口与1.2V左右的核心电压,在提供强大带宽的同时,显著降低系统功耗,助您打造更节能、更可靠的产品。无论是嵌入式系统、网络设备还是高性能计算模块,它都能凭借其稳定的表面贴装封装和宽温工作特性,成为您项目中值得信赖的高性能存储基石。

  • 型号:MT40A1G8WE-075E:D
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:78-FBGA(8x12)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR4
  • 存储容量:8Gb
  • 存储器组织:1G x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:1.33 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
  • 工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:78-TFBGA
  • 供应商器件封装:78-FBGA(8x12)
  • MT40A1G8WE-075E:D,Micron(美光)产品一站式供应商。
只为成为您值得信赖的Micron供应商

MT40A1G8WE-075E:D 基本参数:

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