我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT44K32M18RB-125F:A TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为复杂应用中的数据缓存与交换速度而烦恼吗？MT44K32M18RB-125F:A TR就是为您量身定制的解决方案。这颗576Mb（32M x 18）容量的并行DRAM，能以高达800MHz的速度运行，让您的系统轻松实现海量数据的瞬时读写与高效缓冲，彻底释放核心处理器的潜能。

它采用先进的1.28V~1.42V低电压供电和168-TBGA表面贴装封装，不仅大幅降低了系统整体功耗，更能让您在紧凑的空间内实现高密度布局。无论是用于提升网络设备的吞吐量，还是增强图形处理与数据采集的实时性，它都能让您的设计更加游刃有余，性能表现更加稳定出众。

• 型号:MT44K32M18RB-125F:A TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:168-BGA（13.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 168BGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:32M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:8 ns
• 电压 - 供电:1.28V ~ 1.42V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:168-TBGA
• 供应商器件封装:168-BGA（13.5x13.5）
• MT44K32M18RB-125F:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。