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还在寻找一颗能扛起数据存储重任的核心芯片吗？MT29F8G08ADBDAH4:D TR就是您期待的答案。这颗由美光科技打造的8Gb NAND闪存芯片，采用高效的并联接口，能够为您的高速设备提供稳定、迅捷的数据读写支持，让您的产品在处理海量信息时从容不迫。

它拥有1G x 8的存储结构，工作电压低至1.7V~1.95V，不仅能大幅降低系统功耗，延长设备续航，其表面贴装的63-VFBGA封装更便于集成，帮助您轻松实现紧凑的电路设计。无论是用于备份关键数据，还是承载应用程序，它都能确保信息非易失地安全存储，让您的设计高效又可靠。

• 型号:MT29F8G08ADBDAH4:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:1G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F8G08ADBDAH4:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。