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更重要的是，它采用先进的低电压技术（1.283V~1.45V），在提供强劲数据带宽的同时，能显著降低系统整体功耗与发热。这意味着您的设备将更加节能、运行更稳定可靠，特别适合对能效和长期稳定性有严苛要求的工业控制、网络通信及嵌入式系统。选择它，就是为您的产品选择了一个高效、冷静且值得信赖的“数据伙伴”。

• 型号:MT41K512M4DA-125:K TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（8x10.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:512M x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.75 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（8x10.5）
• MT41K512M4DA-125:K TR，Micron（美光）产品一站式供应商。