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还在寻找一颗能扛重任、稳定可靠的存储核心吗？MT29F8G08ABCBBH1-12IT:B就是您答案。这颗美光出品的8Gb并行NAND闪存，能以高达83MHz的时钟频率高效运作，为您的高速嵌入式系统提供充沛的数据吞吐通道，让您的设备在处理大量信息时依然响应迅捷。

它采用宽电压设计（2.7V-3.6V），并具备-40°C至85°C的工业级工作温度范围，让您轻松应对严苛的供电与环境挑战，确保数据在极端条件下依然安全无虞。其100-VBGA封装形式优化了PCB空间布局，是您打造紧凑、可靠且高性能产品的理想存储伙伴。

• 型号:MT29F8G08ABCBBH1-12IT:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:100-VBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 8GBIT PARALLEL 100VBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:1G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:83 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:100-VBGA
• 供应商器件封装:100-VBGA（12x18）
• MT29F8G08ABCBBH1-12IT:B，Micron（美光）产品一站式供应商。