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还在为系统数据处理的瓶颈而烦恼吗？MT49H8M36BM-25E:B将彻底改变这一局面。这颗288Mb（8M x 36）并行DRAM芯片，凭借高达400MHz的时钟频率和仅15ns的快速访问时间，能为您的高速应用注入澎湃动力，让海量数据的实时读写与缓存变得无比轻松流畅。

它采用先进的1.7V~1.9V低电压供电和144-TFBGA紧凑封装，不仅显著降低系统功耗，更能节省宝贵的PCB空间。其宽广的0°C至95°C工作温度范围，确保了在各类严苛环境下都能稳定运行。选择它，就是为您的工业控制、网络通信或高性能嵌入式设备，选择了一个高效、可靠的核心数据引擎。

• 型号:MT49H8M36BM-25E:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:8M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H8M36BM-25E:B，Micron（美光）产品一站式供应商。