我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT29F64G08CBCGBJ4-5M:G TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找能让您的设备存储性能脱颖而出的核心元件吗？MT29F64G08CBCGBJ4-5M:G TR正是您期待的答案。这颗美光出品的64Gb并行NAND闪存芯片，就像一个高速、海量的数据仓库，能以高达200MHz的速度处理信息，让您的嵌入式系统、网络设备或工业控制器实现瞬间的数据存取，彻底告别等待。

它采用可靠的并联接口和宽电压设计，确保在各种工作环境下都能稳定运行。无论是存储复杂的程序代码、大量的用户数据还是实时采集的传感器信息，它都能轻松胜任，为您产品的流畅体验和高效运转提供坚实的底层支持。

• 型号:MT29F64G08CBCGBJ4-5M:G TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:132-VBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 64GBIT PAR 132VBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:64Gb
• 存储器组织:8G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:132-VBGA
• 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
• MT29F64G08CBCGBJ4-5M:G TR，Micron（美光）产品一站式供应商。