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还在寻找一颗能扛得住极端环境考验的可靠“记忆核心”吗？M29W256GH7AN6F TR就是您的答案。这颗美光科技的256Mb并行NOR闪存，专为 demanding 应用而生，它能为您安全存储最关键的系统启动代码、应用程序和参数数据，确保您的设备在任何情况下都能从“芯”开始，稳定运行。

它让您的设计轻松应对-40°C到85°C的宽温挑战，2.7V~3.6V的宽电压支持则增强了系统电源适应性。70ns的快速访问时间，意味着处理器能高效获取指令，显著提升系统响应速度。无论是工业控制器、汽车电子模块还是高端网络设备，选择它，就是为您的产品选择了一份经久耐用的存储保险。

• 型号:M29W256GH7AN6F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:56-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 256MBIT PARALLEL 56TSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:32M x 8，16M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:56-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:56-TSOP
• M29W256GH7AN6F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。