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还在为设备的数据存储速度和容量瓶颈而烦恼吗？MT29F64G08AECABH1-10ITZ:A TR将彻底改变这一局面。这颗由美光科技打造的64Gb并行NAND闪存芯片，能以高达100MHz的时钟频率进行数据交互，让您轻松实现海量数据的瞬间读写，极大提升系统整体响应速度。

它为您提供高达8G x 8的稳定存储空间，无论是复杂的程序代码、高清媒体内容还是持续增长的日志文件，都能从容容纳。其2.7V~3.6V的宽电压范围和-40°C至85°C的工业级工作温度，确保您的产品在各种严苛环境下都能高效、稳定地运行。选择它，就是为您的设计注入一颗强大、可靠的数据心脏。

• 型号:MT29F64G08AECABH1-10ITZ:A TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:100-VBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 64GBIT PARALLEL 100VBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:64Gb
• 存储器组织:8G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:100 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:100-VBGA
• 供应商器件封装:100-VBGA（12x18）
• MT29F64G08AECABH1-10ITZ:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。