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它基于美光先进的NAND技术，提供非易失性存储，确保数据安全无忧。高达333MHz的运行频率配合并联接口，带来极致的数据吞吐体验，显著提升系统整体响应效率。其工业级的工作温度范围和宽电压支持，让您的设备在各种环境下都能稳定运行，极大增强了产品的市场竞争力与客户信任度。

• 制造商产品型号：MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：512Gb（64G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
• MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。