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还在寻找一颗能兼顾高速响应与大容量缓冲的存储器吗？MT45W4MW16BFB-706 WT F就是您的答案。这颗64Mb PSRAM芯片，能为您提供高达70ns的快速数据访问与写入能力，让您的嵌入式主控芯片无需等待，流畅处理海量信息，极大提升系统整体运行效率。

它采用简单的并行接口，像使用SRAM一样方便，却内部集成了DRAM的刷新机制，让您彻底摆脱设计外部刷新电路的烦恼。1.8V左右的核心工作电压，帮助您轻松实现低功耗设计，同时其宽温级特性确保在严苛环境下依然稳定可靠。无论是用于数据缓存、图形帧缓冲还是代码执行，它都能让您的产品性能表现更加出色。

• 制造商产品型号：MT45W4MW16BFB-706 WT F
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 54VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：盒
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：PSRAM
• 技术：PSRAM（伪 SRAM）
• 存储容量：64Mb（4M x 16）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：70ns
• 访问时间：70ns
• 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
• 工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：54-VFBGA
• MT45W4MW16BFB-706 WT F，Micron（美光）产品一站式供应商。