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在数据为王的时代，您的设备是否渴望一颗既强大又可靠的数据存储核心？MT29F4G16ABAEAH4:E TR正是您期待的答案。这颗由美光科技出品的4Gb并行NAND闪存芯片，能为您提供稳定、高速的非易失性存储解决方案，轻松容纳海量程序代码、系统文件与用户数据。

它采用高效的并联接口和256M x 16位的组织架构，让数据存取如行云流水般高效。其2.7V~3.6V的宽电压支持和0°C~70°C的工作温度范围，确保了在各种应用场景下的出色适应性与可靠性。紧凑的63-VFBGA封装更让您能轻松实现高密度板级设计，助力产品迈向更轻薄、更集成的未来。

• 制造商产品型号：MT29F4G16ABAEAH4:E TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：4Gb（256M x 16）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：63-VFBGA
• MT29F4G16ABAEAH4:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。