我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找能同时满足大容量、高速度与高可靠性的存储核心吗？MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A TR正是为您而生的答案。这颗由美光科技打造的512Gb NAND闪存芯片，采用先进的并联接口，时钟频率高达333MHz，能让您的设备实现海量数据的闪电般读写，彻底告别卡顿与等待。

它拥有2.5V~3.6V的宽电压适应能力和0°C~70°C的稳定工作范围，确保在各种严苛环境下都能持续可靠运行。无论是构建高性能的嵌入式系统、数据中心加速卡，还是需要持续记录数据的工业设备，它都能让您的设计轻松应对，大幅提升终端产品的用户体验和市场竞争力。

• 制造商产品型号：MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：512Gb（64G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
• MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。