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还在为系统带宽瓶颈而困扰吗？让EDY4016AABG-GX-F-R TR为您带来变革性的体验。这颗4Gb容量、采用DDR4技术的并行DRAM，能以高达1.33GHz的时钟频率疾速运行，瞬间提升您的数据吞吐能力，让复杂计算和海量数据交换变得前所未有的流畅高效。

它专为追求极致性能的您而设计。无论是运行在1.2V标准电压下，还是在0°C到95°C的宽温范围内，它都能提供稳定可靠的读写支持。其紧凑的96-TFBGA封装，让您能轻松优化电路板布局，打造出更精巧、更强大的终端设备。选择它，就是为您的核心系统注入一剂强大的“性能加速剂”。

• 型号:EDY4016AABG-GX-F-R TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:96-FBGA（7.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR4
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:256M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:1.33 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:96-TFBGA
• 供应商器件封装:96-FBGA（7.5x13.5）
• EDY4016AABG-GX-F-R TR，Micron（美光）产品一站式供应商。