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还在为您的高端嵌入式设备寻找一颗性能与可靠性的“心脏”吗？MT49H32M18BM-18:B就是您期待的答案。这颗由美光科技打造的576Mb并行DRAM，能以高达533MHz的时钟频率和仅15ns的访问时间飞速处理数据，让您的系统响应如电光火石，轻松驾驭工业控制、网络通信等高带宽应用场景。

它采用1.7V~1.9V低电压运行，在提升能效的同时，其宽温（0°C~95°C）特性确保了在苛刻环境下的稳定表现。紧凑的144-TFBGA封装为您节省宝贵的板级空间，让设计更高效。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲、可靠的数据引擎。

• 型号:MT49H32M18BM-18:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:32M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H32M18BM-18:B，Micron（美光）产品一站式供应商。