我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT29F512G08EBLCEJ4-R:C现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为设备存储容量不足、速度跟不上而焦虑吗？让MT29F512G08EBLCEJ4-R:C为您解决所有烦恼！这颗由美光科技打造的512Gb并行NAND闪存芯片，就像一个高效、庞大的数字记忆库，能轻松存储海量数据，让您的工业设备、网络存储或高端消费电子产品运行如飞。

它采用可靠的TLC技术和并联接口，为您带来稳定高速的数据读写体验。宽电压供电（2.7V-3.6V）和0°C至70°C的工业级工作温度范围，确保它在各种复杂环境下都能稳定工作。紧凑的132-VBGA封装更让您能高效利用板卡空间，简化设计流程。选择它，就是为您的产品选择了一个强大、可靠的数据基石。

• 制造商产品型号：MT29F512G08EBLCEJ4-R:C
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLSH 512GBIT PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：散装
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：FLASH - NAND（TLC）
• 存储容量：512Gb（64G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
• MT29F512G08EBLCEJ4-R:C，Micron（美光）产品一站式供应商。