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还在寻找一颗能扛起海量数据存储重任的“老兵”吗？MT29F64G08ABEBBH6-12:B正是这样一位久经沙场的实力派。它拥有高达64Gb（8GB）的非易失存储容量，采用高效的NAND闪存技术与并行接口，能以83MHz的时钟频率为您提供稳定流畅的数据读写体验，轻松应对固件存储、数据日志、系统缓存等核心任务。

这颗芯片的宽电压设计（2.7V-3.6V）和0°C至70°C的工作温度范围，让您的产品设计更具弹性，适应更复杂的应用环境。其152-VBGA表面贴装封装，节省宝贵的PCB空间，助力实现更紧凑、更高效的硬件布局。选择它，就是为您的设备注入一颗可靠、高效且经过市场充分验证的存储核心。

• 型号:MT29F64G08ABEBBH6-12:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:152-VBGA（14x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 64GBIT PARALLEL 152VBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:64Gb
• 存储器组织:8G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:83 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:152-VBGA
• 供应商器件封装:152-VBGA（14x18）
• MT29F64G08ABEBBH6-12:B，Micron（美光）产品一站式供应商。