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还在为设备的数据存储速度和容量发愁吗？MT29F512G08EBHAFJ4-3T:A TR就是您期待的答案。这颗由美光科技打造的512Gb NAND闪存芯片，采用先进的并联接口，能以高达333MHz的时钟频率迅猛工作，瞬间完成海量数据的读写任务，让您的应用体验无比流畅。

它为您提供了高达64GB的可靠非易失存储空间，确保数据在断电后依然安全无损。无论是运行复杂的程序，还是存储大量的媒体文件，它都能轻松应对。其坚固的132-VBGA封装和0°C~70°C的工业级工作温度范围，更能让您的产品在各种环境下稳定运行，大幅提升终端设备的可靠性和竞争力。

• 制造商产品型号：MT29F512G08EBHAFJ4-3T:A TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：512Gb（64G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：-
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
• MT29F512G08EBHAFJ4-3T:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。