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还在为嵌入式系统寻找一颗可靠的数据存储心脏吗？MT29F4G16ABBDAH4:D TR就是您的理想答案。这颗由美光科技打造的4Gb并行NAND闪存，能为您的大容量数据存储需求提供坚实保障，无论是程序代码、用户数据还是系统日志，都能被安全、高效地容纳其中。

它采用成熟的并联接口架构，搭配1.7V~1.95V的低电压工作范围，让您在获得快速数据读写体验的同时，轻松实现系统节能。紧凑的63-VFBGA封装非常适合空间受限的设计，帮助您打造出更小巧、更集成的产品。选择它，就是选择了一个久经考验、稳定可靠的存储解决方案，让您的产品运行更无后顾之忧。

• 型号:MT29F4G16ABBDAH4:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:256M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F4G16ABBDAH4:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。