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还在寻找一颗能扛起数据存储重任的“实力派”芯片吗？NAND08GW3C2BN6E就是您的理想答案。这颗美光出品的8Gb并行NAND闪存，能以高达25ns的速度响应您的读写指令，让海量数据存取瞬间完成，彻底释放您主控芯片的性能，为各种嵌入式系统带来流畅高效的数据体验。

它能在-40°C到85°C的极端温度范围内稳定工作，电压适应范围宽至2.7V~3.6V，无论是面对户外严酷环境还是室内复杂工况，都能确保数据万无一失。选择它，就是为您的工控设备、网络通信产品或智能终端，选择了一位可靠、高效且久经考验的数据伙伴，让您的产品设计更从容，性能表现更出众。

• 型号:NAND08GW3C2BN6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:1G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:25ns
• 访问时间:25 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP
• NAND08GW3C2BN6E，Micron（美光）产品一站式供应商。