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还在为嵌入式系统的数据存储寻找一颗“定心丸”吗？让MT29F4G16ABADAH4:D来担当重任！这颗由美光科技出品的4Gb并行NAND闪存，能为您的大容量数据存储需求提供高效、可靠的解决方案。其256M x 16的组织结构，让数据存取井然有序。

它能让您的设备轻松应对程序代码存储、用户数据记录、媒体缓存等多样化任务。宽电压（2.7V-3.6V）支持和0°C至70°C的工作温度范围，确保了它在各种应用环境下都能稳定发挥。采用紧凑的63-VFBGA封装，更能帮助您优化电路板空间，实现更精巧的产品设计。

• 型号:MT29F4G16ABADAH4:D
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:256M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F4G16ABADAH4:D，Micron（美光）产品一站式供应商。