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还在为系统带宽瓶颈而烦恼吗？MT40A256M16GE-075E AUT:B TR将彻底改变这一局面。这颗来自美光科技的4Gb DDR4 SDRAM芯片，凭借其256M x 16的宽位架构和高达1.33GHz的时钟频率，能为您的高速处理器提供源源不断的并行数据流，轻松应对大数据吞吐挑战，让您的应用运行如丝般顺滑。

它不仅仅追求速度，更注重在复杂环境下的坚若磐石。其支持-40°C至125°C的极端工作温度，并采用1.2V低电压供电，让您能在 automotive、工业控制等严苛场景中，同时实现高性能与高能效。这颗采用96-TFBGA封装、表面贴装的芯片，是您构建下一代可靠、高效嵌入式系统的理想存储基石。

• 型号:MT40A256M16GE-075E AUT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:96-FBGA（9x14）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR4
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:256M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:1.33 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:96-TFBGA
• 供应商器件封装:96-FBGA（9x14）
• MT40A256M16GE-075E AUT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。