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还在寻找一颗能扛重任、让系统运行更流畅的存储核心吗？MT29F4G08ABAEAWP-IT:E正是您期待的答案。这颗由美光科技出品的4Gb并行NAND闪存，拥有512M x 8的存储架构，能为您的高速应用提供海量、稳定的数据仓库。

它能在2.7V至3.6V的宽电压范围内稳定工作，并经受-40°C到85°C的极端温度考验，让您的工业设备、汽车电子或网络设备在各种严苛环境下都表现可靠。其表面贴装的48-TFSOP封装，更便于您实现高密度的PCB板设计，轻松优化产品空间。

• 型号:MT29F4G08ABAEAWP-IT:E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP I
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP I
• MT29F4G08ABAEAWP-IT:E，Micron（美光）产品一站式供应商。