我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT29F4G08ABAEAH4-S:E TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在为项目寻找一颗能扛重任、稳定如山的核心存储芯片吗？MT29F4G08ABAEAH4-S:E TR就是您值得信赖的伙伴。这颗美光出品的4Gb并行NAND闪存，拥有512M x 8的经典结构，能以非易失的特性牢牢守护您的数据，断电也不丢失。其并联接口设计让数据存取高效流畅，轻松应对各种实时读写需求。

更令人放心的是，它支持2.7V至3.6V的宽电压工作范围，适应性强，能在多种供电环境下稳定运行。采用63-VFBGA封装，体积小巧，非常适合空间受限的现代电子设备进行表面贴装。选择它，就是为您的产品选择了一份经过市场千锤百炼的可靠性与兼容性保障，让您的系统设计基础更加稳固。

• 型号:MT29F4G08ABAEAH4-S:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F4G08ABAEAH4-S:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。