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还在为嵌入式系统的数据带宽和响应速度发愁吗？让MT49H8M36BM-33:B TR为您带来焕然一新的体验。这颗288Mb（8M x 36）并行DRAM芯片，拥有高达300MHz的时钟频率与仅20ns的快速访问时间，能轻松驾驭高速数据读写任务，让您的系统处理海量信息时更加流畅、高效。

它采用1.7V~1.9V低电压运行，有效帮助您控制整体功耗，同时其0°C至95°C的宽工作温度范围确保了在苛刻环境下的稳定表现。无论是工业控制、通信设备还是需要可靠存储的各类应用，它都能成为您系统中强劲而稳健的“数据引擎”。

• 型号:MT49H8M36BM-33:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:8M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:300 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H8M36BM-33:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。