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还在寻找一颗能扛起数据存储重任的核心芯片吗？MT29F4G08ABADAH4:D TR就是您期待的答案。这颗由美光科技出品的4Gb NAND闪存芯片，采用高效的并联接口（512M x 8），能为您的高速设备提供稳定、大容量的非易失性存储解决方案，让海量数据存取变得轻松自如。

它拥有2.7V~3.6V的宽电压适应能力，配合0°C~70°C的宽温工作范围，确保您的产品在各种严苛环境下都能稳定运行。紧凑的63-VFBGA表面贴装封装，让您能高效利用板卡空间，实现更精巧的产品设计。选择它，就是为您的智能网关、工控设备或网络通信模块选择了一位值得信赖的“数据管家”。

• 型号:MT29F4G08ABADAH4:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F4G08ABADAH4:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。