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您正在设计需要稳定、高效数据缓存的嵌入式系统或通信设备吗？MT47H32M16HR-25E:G这颗512Mb DDR2 SDRAM芯片，就是为您提升系统性能的得力助手。它能以高达400MHz的时钟频率和仅400ps的访问时间，让您的应用轻松实现高速数据读写，大幅提升处理效率。

凭借其1.8V供电和宽温工作特性，它能让您的设备在复杂环境中也能保持稳定运行，有效降低整体功耗与散热压力。选择这颗经过市场验证的美光芯片，就是为您的产品选择了一份可靠的性能保障。

• 型号:MT47H32M16HR-25E:G
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:84-FBGA（8x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:32M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:84-TFBGA
• 供应商器件封装:84-FBGA（8x12.5）
• MT47H32M16HR-25E:G，Micron（美光）产品一站式供应商。