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您是否正在寻找一颗能够为您的嵌入式系统、网络设备或工业控制器提供强劲、稳定内存支持的核心芯片？MT47H64M8B6-3:D TR正是您的理想之选。这颗512Mb DDR2 SDRAM芯片，能以高达333MHz的速度高效处理数据，其快速的访问时间和稳定的并联接口，让您的设备在多任务处理和实时响应中游刃有余。

它采用1.8V供电和紧凑的60-FBGA封装，不仅功耗控制出色，更能帮助您优化电路板空间布局。无论是处理复杂的算法还是缓冲高速数据流，它都能轻松胜任，显著提升您整机系统的运行效率与可靠性，是构建高性能、高稳定性应用的坚实内存基石。

• 型号:MT47H64M8B6-3:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:450 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-FBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA
• MT47H64M8B6-3:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。