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MT29F4G08ABADAH4-IT:D TR 零件图片(仅供参考)

MT29F4G08ABADAH4-IT:D TR
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MT29F4G08ABADAH4-IT:D TR 规格参数

还在寻找一颗能扛重任、适应严苛环境的可靠存储芯片吗?MT29F4G08ABADAH4-IT:D TR就是您期待的答案。这颗由美光科技打造的4Gb并行NAND闪存,专为需要稳定、大容量数据存储的嵌入式应用而生。

它能让您的设备轻松容纳海量程序代码、用户数据或系统日志。其宽广的电压与温度适应范围,确保您的产品无论是在极寒还是酷热的环境中都能持续可靠工作,极大提升了产品的环境适应性和耐用性。选择它,就是为您的设计选择了一份高效、省心且经久耐用的存储保障。

  • 型号:MT29F4G08ABADAH4-IT:D TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:63-VFBGA(9x11)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:最后售卖
  • 南皇电子 可编程:已验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:4Gb
  • 存储器组织:512M x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:63-VFBGA
  • 供应商器件封装:63-VFBGA(9x11)
  • MT29F4G08ABADAH4-IT:D TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT29F4G08ABADAH4-IT:D TR 基本参数:

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