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还在寻找一颗能扛起数据存储重担的“老兵”吗？MT29F8G08ADADAH4:D TR就是您答案。这颗美光出品的8Gb并行NAND闪存芯片，专为需要大容量、非易失性存储的嵌入式系统而设计。它能让您的工业控制设备、网络通信模块或其它电子装置，轻松、可靠地保存海量程序代码、用户数据与系统日志。

凭借其并联接口架构与1G x 8的存储组织方式，它能为您提供高效的数据读写路径。宽达2.7V~3.6V的工作电压范围和0°C~70°C的工业级温度适应能力，确保了它在各种应用环境下都能稳定发挥。紧凑的63-VFBGA表面贴装封装，更让您能高效利用板卡空间，实现更精巧的产品设计。

• 型号:MT29F8G08ADADAH4:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:1G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F8G08ADADAH4:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。