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它能让您的工业控制器、网络设备或汽车电子系统运行得更顺畅、更持久。其SLC技术提供了更快的编程/擦除速度和远超普通闪存的读写周期，确保在频繁数据更新的场景下依然游刃有余。紧凑的VFBGA封装帮助您轻松实现高密度板级设计，节省宝贵空间。

选择它，意味着您为产品选择了一份经得起时间考验的可靠性。无论是应对极端温度、持续振动还是长时间不间断运行，MT29F2G08ABAGAH4-AIT:G TR都能稳定发挥，让您专注于核心功能开发，将存储的担忧交由我们来解决。

• 型号:MT29F2G08ABAGAH4-AIT:G TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NAND（SLC）
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F2G08ABAGAH4-AIT:G TR，Micron（美光）产品一站式供应商。