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还在为您的汽车电子或工业设备寻找一颗“扛得住”的存储芯吗？MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR就是您的理想答案。这颗由美光科技打造的2Gb NAND闪存，专为应对严苛环境而生，其车规级（AEC-Q100）品质和-40°C至105°C的宽温工作能力，让您无需再担心极端温度导致的数据风险，为系统可靠性筑起坚固防线。

它采用高效的并联接口和1.7V~1.95V的低电压设计，不仅能轻松融入您的现有系统架构，还能显著优化功耗，助力打造更节能的产品。无论是存储关键固件、记录运行日志，还是处理用户数据，其稳定的非易失特性都能确保信息安全无虞。选择它，就是选择了一份让您高枕无忧的存储保障，轻松提升终端产品的核心竞争力。

• 型号:MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:128M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。