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还在寻找一颗能扛起数据存储重任的“老兵”吗？MT29F32G08ABCABH1-10:A TR就是您答案。这颗美光出品的32Gb并行NAND闪存，凭借其100MHz的高速时钟和稳定的并联接口，能让您的设备实现高效的数据交换，轻松应对工业控制、网络通信等场景下的大容量、快响应的存储需求。

它为您提供高达4GB的可靠存储空间，采用2.7V-3.6V宽电压设计，并能在0°C至70°C的广泛温度范围内稳定工作。这意味着您可以将它集成到各种复杂的应用环境中，而无需担心数据丢失或性能波动。其100-VFBGA的紧凑封装，更让您能在有限的空间内实现强大的存储功能，是升级或维护经典产品设计的理想选择。

• 型号:MT29F32G08ABCABH1-10:A TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:100-VBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 32GBIT PARALLEL 100VBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:32Gb
• 存储器组织:4G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:100 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:100-VBGA
• 供应商器件封装:100-VBGA（12x18）
• MT29F32G08ABCABH1-10:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。