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它能让您的智能手机、平板电脑或物联网设备轻松应对多任务处理与大数据吞吐，在提供强劲动力的同时显著降低系统功耗，从而有效延长电池续航。选择它，就是为您的产品注入一颗高效、可靠的“数字心脏”，让复杂应用运行如飞，用户体验全面提升。

• 型号:MT53E256M16D1DS-046 WT:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-WFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:256M x 16
• 存储器接口:-
• 时钟频率:2.133 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-WFBGA
• 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
• MT53E256M16D1DS-046 WT:B，Micron（美光）产品一站式供应商。