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还在寻找能同时驾驭海量数据与闪电速度的存储核心吗？MT29F2T08EMHAFJ4-3ITFES:A就是您期待的答案。这颗由美光科技出品的2Tb并行NAND闪存，采用先进的132-VBGA封装，能以高达333MHz的时钟频率飞速运转，让您的设备轻松应对4K/8K视频处理、大型数据库存取或实时AI推理等数据密集型任务，彻底告别等待。

它为您带来的，是高达256G x 8的巨量存储空间和并联接口带来的高效数据通道。宽达2.5V~3.6V的工作电压范围赋予了它出色的兼容性与能效表现。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲、可靠且面向未来的“数据心脏”，让复杂应用运行如丝般顺滑，大幅提升终端用户体验与产品市场竞争力。

• 制造商产品型号：MT29F2T08EMHAFJ4-3ITFES:A
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 2TB PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：2Tb（256G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
• MT29F2T08EMHAFJ4-3ITFES:A，Micron（美光）产品一站式供应商。