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您正在设计的设备是否需要一颗在严苛环境下依然能高速、稳定存取数据的内存心脏？MT41K512M8RH-107 IT:E正是为此而生。这颗来自美光科技的4Gb DDR3L SDRAM芯片，能以高达933MHz的速度流畅处理数据，其1.35V的低电压运行不仅节能高效，更显著降低了系统热耗。

更重要的是，它拥有惊人的环境适应力。无论是零下40度的严寒还是高达95度的酷热，它都能稳定工作，让您的工业控制、网络通信或嵌入式设备无惧气候挑战。512M x 8的并行架构，让数据存取变得直接而高效，助您轻松构建响应迅速、运行可靠的核心系统。

• 型号:MT41K512M8RH-107 IT:E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（9x10.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（9x10.5）
• MT41K512M8RH-107 IT:E，Micron（美光）产品一站式供应商。