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还在为海量数据存储与高速访问难以兼得而烦恼吗？MT29E4T08EYHBBG9-3:B正是您期待的答案。这颗美光科技的4Tb并行NAND闪存芯片，拥有高达333MHz的时钟频率，能为您提供疾风骤雨般的数据读写体验，彻底释放系统性能瓶颈。

它能让您的服务器轻松应对密集型数据处理，让您的专业影像设备实现4K/8K素材的流畅录制与即时编辑，更能为工业控制设备提供稳定可靠的非易失存储保障。其2.5V至3.6V的宽电压供电和0°C至70°C的工作温度范围，赋予了您更大的设计灵活性和环境适应性。选择它，就是选择了一个高效、可靠且面向未来的存储核心，让您的产品在竞争中脱颖而出。

• 制造商产品型号：MT29E4T08EYHBBG9-3:B
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 4TB PARALLEL 333MHZ
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：4Tb（512G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
• MT29E4T08EYHBBG9-3:B，Micron（美光）产品一站式供应商。