我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT29F2T08CVCBBG6-6C:B现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找能够承载海量数据并确保高速读写的存储核心吗？MT29F2T08CVCBBG6-6C:B正是您期待的答案。这颗美光出品的2Tb大容量NAND闪存芯片，采用先进的并联接口，能以高达167MHz的时钟频率运行，为您的高性能设备提供澎湃的数据吞吐带宽，让数据处理从此告别等待。

它能在2.7V至3.6V的宽电压范围内稳定工作，并适应0°C至70°C的工业级温度环境，确保您的应用无论是在数据中心还是在工厂车间，都能获得持续可靠的存储性能。其表面贴装的272-LFBGA封装形式，更便于集成，帮助您轻松构建高密度、高效率的存储解决方案，全面提升终端产品的市场竞争力。

• 制造商产品型号：MT29F2T08CVCBBG6-6C:B
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 2TB PARALLEL 272LFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：2Tb（256G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：167MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：272-LFBGA
• MT29F2T08CVCBBG6-6C:B，Micron（美光）产品一站式供应商。