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还在寻找一颗能扛起数据存储重担的核心芯片吗？MT29F2G16ABBEAH4:E TR就是您期待的答案。这颗美光出品的2Gb NAND闪存，以其128M x 16的并联架构，为您的高速嵌入式系统提供稳定、大容量的非易失存储空间，让海量数据存取变得轻松又高效。

它能在1.7V至1.95V的低电压下稳定工作，显著优化您的系统功耗；0°C至70°C的宽温范围适应性强，确保在各种环境下可靠运行。紧凑的63-VFBGA封装，让您能更灵活地进行PCB布局，实现产品的小型化设计。选择它，就是为您的设备选择了一个经久耐用、值得信赖的数据仓库。

• 型号:MT29F2G16ABBEAH4:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:128M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F2G16ABBEAH4:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。