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还在寻找一颗能同时满足大容量、高速度与高可靠性的存储核心吗？MT29F128G08CBECBH6-12:C TR 就是您的理想答案。这颗由美光科技打造的128Gb NAND闪存芯片，采用高效的并联接口与83MHz时钟频率，能显著提升您设备的数据吞吐效率，让系统响应更迅捷，用户体验更流畅。

它拥有2.7V~3.6V的宽电压适应能力和0°C~70°C的工作温度范围，确保在多变环境下依然稳定运行。无论是智能终端的数据缓存，还是工业设备的固件存储，它都能轻松胜任，让您的设计更高效，产品更具竞争力。其152-VBGA的紧凑封装，更能帮助您优化产品内部空间布局。

• 型号:MT29F128G08CBECBH6-12:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:152-VBGA（14x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:128Gb
• 存储器组织:16G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:83 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:152-VBGA
• 供应商器件封装:152-VBGA（14x18）
• MT29F128G08CBECBH6-12:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。