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还在为系统带宽不足而妥协设计吗？MT40A1G16KNR-062E:E TR将彻底改变这一局面。这颗16Gb容量的DDR4 SDRAM，凭借高达1.6GHz的时钟频率和并联接口，能为您的高速计算设备提供海量、迅捷的数据通道，轻松应对大数据处理、实时分析等高负载任务，让系统性能飞跃提升。

它采用先进的工艺技术，工作电压低至1.14V~1.26V，在提供强大性能的同时，显著优化了能效比，帮助您设计出更节能、发热更少的绿色产品。其表面贴装的96-TFBGA封装和0°C至95°C的宽工作温度范围，确保了在各种严苛环境下的长期稳定运行，让您的设备可靠耐用，无后顾之忧。

• 型号:MT40A1G16KNR-062E:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:96-FBGA（7.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 16GBIT PARALLEL 96FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR4
• 存储容量:16Gb
• 存储器组织:1G x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:1.6 GHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:19 ns
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:96-TFBGA
• 供应商器件封装:96-FBGA（7.5x13.5）
• MT40A1G16KNR-062E:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。